負(fù)載開關(guān)電路,MOSFET負(fù)載開關(guān),電路原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-24
如圖所示，負(fù)載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個(gè)邏輯高電平，則N-MOSFET導(dǎo)通，負(fù)載得電；在其柵極加一個(gè)邏輯低電平，則N-MOSFET關(guān)斷，負(fù)載失電。
可以看出，負(fù)載開關(guān)接是在電源與負(fù)載之間，用邏輯電平來控制通、斷，使負(fù)載得電或失電的功率器件。由于開關(guān)在負(fù)載的下邊，一般稱為低端負(fù)載開關(guān)。
如果負(fù)載是一個(gè)要求接地的電路（如功率放大電路、發(fā)射電路或接收電路等），則低端負(fù)載開關(guān)不能用，要采用高端負(fù)載開關(guān)。
高端負(fù)載開關(guān)主要由P溝道MOSFET組成，如圖所示。
圖(a)是由一個(gè)P-MOSFET與一個(gè)反相器組成的，圖(b)是由一個(gè)P-MOSFET與一個(gè)N-MOSFET組成的。開關(guān)在負(fù)載的上面，稱高端負(fù)載開關(guān)。
負(fù)載開關(guān)電路是主要用來控制后級(jí)負(fù)載的電源開關(guān)?？梢灾苯佑肐C也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。
電路分析如下圖所示：
R5模擬后級(jí)負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管QQ1的VGS<VGSth導(dǎo)通，R5負(fù)載上電，關(guān)斷時(shí)負(fù)載下電。電路中R3為三極管Q2的限流電阻，R4為偏置電阻，R1R2為Q1的柵極分壓電阻，C1C2為輸出濾波電容。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
