pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-11
PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)的兩種類型。PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其中C代表互補(bǔ)(Complementary)。
在CMOS技術(shù)中，PMOS和NMOS通常會配對使用，互補(bǔ)形式的晶體管兩者可以互相補(bǔ)充，以實(shí)現(xiàn)更高效的電路設(shè)計(jì)和功耗控制。
CMOS電路是由PMOS和NMOS管組成的互補(bǔ)結(jié)構(gòu)。例如，在基本反相器中，PMOS作為上拉管，NMOS作為下拉管，兩者交替導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
電路結(jié)構(gòu)與工作原理
互補(bǔ)對稱架構(gòu)：
CMOS電路由PMOS（P溝道）管和NMOS（N溝道）管通過互補(bǔ)對稱方式連接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作為上拉管，NMOS作為下拉管，兩者交替導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
這種結(jié)構(gòu)確保靜態(tài)功耗極低（典型值0.1μW），因?yàn)閮晒懿粫瑫r(shí)導(dǎo)通，避免了電流直通路徑。
電平轉(zhuǎn)換機(jī)制：
NMOS負(fù)責(zé)傳輸邏輯低電平（VSS），當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)導(dǎo)通；
PMOS負(fù)責(zé)傳輸邏輯高電平（VDD），當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí)導(dǎo)通。
反相器電路是一種輸入為 0 時(shí)輸出為 1，輸入為 1 時(shí)輸出為 0 的電路。
電路的基本結(jié)構(gòu)如下：
a. NMOS 和 PMOS 的柵極共接，作為輸入（Vin）使用。
b. NMOS 和 PMOS 的漏極共接，作為輸出（Vout）使用。
c. NMOS 的源極接地。
d. PMOS 的源極與接電源（VDD）。
雖然是 NMOS 和 PMOS 組合而成的簡單結(jié)構(gòu)，但它作為反相器電路在電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮重要作用，即輸入 Vin = 1 時(shí)，輸出 Vout = 0；輸入 Vin = 0 時(shí)，輸出 Vout = 1。
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