KIA13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

產(chǎn)品編號：KIA13N50

漏極至源極電壓（VDSS）：500V

柵源電壓（VGSS）：±30V

漏極電流（連續(xù)）（lD）：13A

耗散功率（PD）：195W

工作溫度：±150℃

擊穿電壓溫度：0.5/℃

輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升時間：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω

RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷（典型的45nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

	13N50（13A 500V）
產(chǎn)品編號	KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
溝道	MOSFET N溝道
封裝形式	TO-220、TO220F、TO-263
產(chǎn)品工藝	13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的45nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
PDF文件	【直接在線預覽】
廠家	KIA 原廠家
LOGO
網(wǎng)址	arainay.com
PDF總頁數(shù)	總5頁數(shù)