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4820現(xiàn)貨供應商 KIA4820 PDF文件 4820參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-27 

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KIA4820參數指標

KIA4820增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器。


2、特征

專有的新平面技術

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷減少開關損耗

快速恢復體二極管


3、參數指標

產品型號:KIA4820

工作方式:9A/200V

漏源電壓:200V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):9A

脈沖漏極電流:36A

雪崩能量:300m

耗散功率:83W

熱電阻:75℃/W

漏源擊穿電壓:200V

柵極閾值電壓:1.0V

輸入電容:418 PF

輸出電容:94 PF

上升時間:6.0 ns

封裝形式:TO-220、TO-252



KIA4820
產品編號 KIA4820(9A 200V)
產品工藝 KIA4820b增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器
產品特征

專有的新平面技術

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷減少開關損耗

快速恢復體二極管

適用范圍 主要適用于高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮(zhèn)流器
封裝形式 TO-220、TO-252
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廠家 KIA原廠家
網址 arainay.com
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