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場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)-場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)識(shí)圖及電路圖參數(shù)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-27 

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場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)識(shí)圖

場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě):FET(Field-effect transistor),簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管,是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管也是一種晶體三極管,也有三個(gè)極,分別叫源極S,柵極G,漏極D。

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào),在電路圖中它常用

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)

表示,關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象,由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類(lèi)繁多,特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開(kāi)關(guān)使用,所以需要通過(guò)電流比較大,所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型 的場(chǎng)效應(yīng)管(MOS型),它的電路圖符號(hào):



場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)


場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)仔細(xì)看看你會(huì)發(fā)現(xiàn),這兩個(gè)圖似乎有差別,對(duì)了,這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,它們的的作用是剛好相反的。前面說(shuō)過(guò),場(chǎng)效應(yīng)管是用電控制的開(kāi)關(guān),那么我們就先講一下怎么使用它來(lái)當(dāng)開(kāi)關(guān)的,從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個(gè)腳,這三個(gè)腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D),mpn中的貼片元件示意圖是這個(gè)樣子:

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)

1腳就是柵極,這個(gè)柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了,而P溝道的剛好相反,在柵極加上電壓就關(guān)斷(高電位),去掉電壓(低電位)就相通了!


場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)參數(shù)


Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)) di/dt---電流上升率(外電路參數(shù)) dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù)) ID---漏極電流(直流)

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管) IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流) IG---柵極電流(直流)

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí),截止柵電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí),截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù)) gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)

L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù)) RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù)) to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間

td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間

ti---上升時(shí)間

ton---開(kāi)通時(shí)間

toff---關(guān)斷時(shí)間

tf---下降時(shí)間

trr---反向恢復(fù)時(shí)間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓(直流)

VGS---柵源電壓(直流)

VGSF--正向柵源電壓(直流)

VGSR---反向柵源電壓(直流)

VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓

V(BR)DSS---漏源擊穿電壓

V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓(直流)

Vsu---源襯底電壓(直流)

VDu---漏襯底電壓(直流)

VGu---柵襯底電壓(直流)

Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻

η---漏極效率(射頻功率管)

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

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