對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導...對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導致VMOS擊穿損壞。這時候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高...
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半導體)是目前比擬成熟的半導休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構造MOSFET...
HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分...HEXMOS與管芯構造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分的水龍頭一般稱為“閥門”，當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代，只是工程上很少...
目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導體構建柵區(qū)，這兩個柵區(qū)就像水龍頭...目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導體構建柵區(qū)，這兩個柵區(qū)就像水龍頭的閥芯與閥座，所不同的是，閥座是固定的，而兩個柵區(qū)都是“挪動”的，即兩個柵區(qū)同...
場效應管只靠“多子”米導電，換言之，只靠一種極性的載流子導電；而BJT（雙極...場效應管只靠“多子”米導電，換言之，只靠一種極性的載流子導電；而BJT（雙極性晶體管）則同時靠“多子”和與之極性相反的“少子”停止導電，因而場效應管屬于單...
材料的導電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度...材料的導電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度來看，自由電子的能量比較高，因此往外力的作用下（電場等）可以自由移動，如果將它...
