材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度...材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度來(lái)看，自由電子的能量比較高，因此往外力的作用下（電場(chǎng)等）可以自由移動(dòng)，如果將它...
認(rèn)識(shí)電路中的VMOS，辨別引腳符號(hào)認(rèn)識(shí)電路中的VMOS，辨別引腳符號(hào)
?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所...?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所不同是，在常態(tài)下，它內(nèi)部的（導(dǎo)電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)下的耗盡型MOSFET是...
在常態(tài)下，MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時(shí)，在電場(chǎng)的作用下，源極（...在常態(tài)下，MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時(shí)，在電場(chǎng)的作用下，源極（區(qū)）與柵極（區(qū)）之間就會(huì)形成導(dǎo)電通道，并且隨著偏置電壓的增加而加寬，導(dǎo)電能力增...
如圖2-55所示，萬(wàn)用表置于R Xl00擋，將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，此...如圖2-55所示，萬(wàn)用表置于R Xl00擋，將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，此時(shí)萬(wàn)用表指示出漏、源極間的電阻值，然后用手指觸摸G極，人體的感應(yīng)電壓便加到柵極上...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之...MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因而具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)10l5Ω）。它分為N溝道管...
