SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。SOT-23 MOS管 無論是P溝道還是N溝道，1腳為柵極，2腳為源極，3腳為漏極。
柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當(dāng)在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅...柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當(dāng)在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)柵極(G)指向硅襯底的電場(chǎng)。氧化物層兩邊形成一...
MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20...MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A VDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A
選擇一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配...選擇一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷@在產(chǎn)品未來的使用過程中，將會(huì)充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用...
誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現(xiàn)象，在串聯(lián)2個(gè)MOSFET的橋...誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現(xiàn)象，在串聯(lián)2個(gè)MOSFET的橋式電路中，當(dāng)位于開關(guān)側(cè)的MOSFET導(dǎo)通（Turn-on）時(shí)，在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側(cè)MOSFE...
為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFE...為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行...
