（1）導(dǎo)通FET是負(fù)載開關(guān)的主要元件，它決定了負(fù)載開關(guān)可處理的最大輸入電壓和最...（1）導(dǎo)通FET是負(fù)載開關(guān)的主要元件，它決定了負(fù)載開關(guān)可處理的最大輸入電壓和最大負(fù)載電流。負(fù)載開關(guān)的導(dǎo)通電阻是導(dǎo)通FET的特性，將用于計(jì)算負(fù)載開關(guān)的功耗。導(dǎo)通...
典型的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用如下。包括一個(gè)電源和多個(gè)需要不同負(fù)載電流的負(fù)載。系統(tǒng)...典型的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用如下。包括一個(gè)電源和多個(gè)需要不同負(fù)載電流的負(fù)載。系統(tǒng)必須通過(guò)多個(gè)電源開關(guān)獨(dú)立控制這些負(fù)載，包括打開時(shí)間、打開的速度等。該電源開關(guān)可...
下圖是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的分立負(fù)載開關(guān)電路，只需要用到一個(gè)PMOS管和一個(gè)GPIO信號(hào)，...下圖是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的分立負(fù)載開關(guān)電路，只需要用到一個(gè)PMOS管和一個(gè)GPIO信號(hào)，GPIO連接到MOS管的柵極。當(dāng)GPIO為高電平時(shí)，MOS管關(guān)閉。當(dāng)GPIO為低電平的時(shí)候，MOS...
KIA MOS管廠家生產(chǎn)的碳化硅MOSFET-KSZ040N120A、KSZ080N120A擁有卓越的性能和高...KIA MOS管廠家生產(chǎn)的碳化硅MOSFET-KSZ040N120A、KSZ080N120A擁有卓越的性能和高可靠性，能夠在各種應(yīng)用、環(huán)境中高效穩(wěn)定運(yùn)行；兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用于軌道交通、變頻器...
電源開關(guān)選擇 PMOS (上圖Q1) 的原因：因?yàn)?PMOS 是 Vgs＜0 時(shí)，D、S 之間導(dǎo)通，...電源開關(guān)選擇 PMOS (上圖Q1) 的原因：因?yàn)?PMOS 是 Vgs＜0 時(shí)，D、S 之間導(dǎo)通，而 PMOS 的源極 (S) 經(jīng)常接著是要通過(guò)的電壓，比如電池的 3.7V~4.2V，這樣只需柵極...
一個(gè)負(fù)電壓產(chǎn)生電路：利用電容充電等效出一個(gè)新電源，電容串聯(lián)在GND后，等效為...一個(gè)負(fù)電壓產(chǎn)生電路：利用電容充電等效出一個(gè)新電源，電容串聯(lián)在GND后，等效為電源2，則產(chǎn)生負(fù)電壓。
