假設(shè)Q為低電平，則非門2的輸入端為高電平，經(jīng)過R對(duì)C充電，C的電壓上升，直到非...假設(shè)Q為低電平，則非門2的輸入端為高電平，經(jīng)過R對(duì)C充電，C的電壓上升，直到非門1輸入端的電壓達(dá)到反轉(zhuǎn)電壓，此時(shí)非門1的輸出變?yōu)榈碗娖?，Q變?yōu)楦唠娖健?/p>
R-S鎖存器是靜態(tài)存儲(chǔ)單元中最基本的一種電路結(jié)構(gòu)，通常由兩個(gè)或非門或者與非門...R-S鎖存器是靜態(tài)存儲(chǔ)單元中最基本的一種電路結(jié)構(gòu)，通常由兩個(gè)或非門或者與非門組成，下圖為與非門搭建R-S鎖存器的電路結(jié)構(gòu)圖。
KNX2408A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，適用于多種...KNX2408A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，適用于多種應(yīng)用。
下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS拼接而成 當(dāng)v=1時(shí)，T1截止，...下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS拼接而成 當(dāng)v=1時(shí)，T1截止，T2導(dǎo)通，vo=0； 當(dāng)v=0時(shí)，T1導(dǎo)通，T2截止，vo=1；
電壓波紋和開關(guān)噪聲通常是由電源線發(fā)出的。這種噪聲會(huì)影響晶體振蕩器的輸出。此...電壓波紋和開關(guān)噪聲通常是由電源線發(fā)出的。這種噪聲會(huì)影響晶體振蕩器的輸出。此外，有必要確保晶體振蕩器產(chǎn)生的波紋噪聲不會(huì)流到電源線上。實(shí)施這些措施還可以改善...
在運(yùn)放構(gòu)成的反向放大電路中，噪聲主要來源于以下三方面： （1）運(yùn)放的輸入噪...在運(yùn)放構(gòu)成的反向放大電路中，噪聲主要來源于以下三方面： （1）運(yùn)放的輸入噪聲電壓(datasheet有數(shù)據(jù)曲線) （2）運(yùn)放的輸入電流噪聲(datasheet有數(shù)據(jù)曲線)，需要...
