弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U(kuò)散電流。模型的表達(dá)式變?yōu)橹笖?shù)特...弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U(kuò)散電流。模型的表達(dá)式變?yōu)橹笖?shù)特性而不是平方律 弱反型區(qū)適合低功耗電路，因?yàn)殡娏骱苄?，但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS，當(dāng)襯源PN結(jié)正偏時(shí)，會帶來閂鎖效應(yīng)（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當(dāng)襯源PN結(jié)正偏時(shí)，會帶來閂鎖效應(yīng)（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應(yīng)會導(dǎo)致閾值電壓變大，電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運(yùn)放負(fù)自身負(fù)反饋需要動態(tài)平衡，此時(shí)，同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運(yùn)放負(fù)自身負(fù)反饋需要動態(tài)平衡，此時(shí)，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關(guān)系 Vds > Vdsat時(shí)，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關(guān)系 Vds > Vdsat時(shí)，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和區(qū)，需要讓Vds -Vdsat大于某個經(jīng)驗(yàn)值。
MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對design variable ——Vd進(jìn)行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。...上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖，可知CCM模式下，電流不會趨于0。DCM模式下，電流會趨于0，并且有一定的死...
