溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)...溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。
如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，...如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，電路是鋰電池充放電電路，當(dāng)外部電源斷開時采用鋰電池進(jìn)行內(nèi)部供電，即+5V電源斷開...
3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔離塑料包裝 應(yīng)用程序： 切換應(yīng)用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓?fù)渲械睦m(xù)流二極管同步MOSFET ...為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓?fù)渲械睦m(xù)流二極管同步MOSFET 取代形成如圖1 所示的同步開關(guān)電源拓?fù)洌? 個MOSFET Q1 和Q2 形成半橋結(jié)構(gòu)。MOSFET ...
KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器...KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3423是不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范...
