LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率...在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率。電壓電流同相位，電源向負(fù)載供電，負(fù)載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不...
在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個(gè)位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個(gè)位置的有力競爭產(chǎn)品，它們的數(shù)據(jù)資料中通常標(biāo)明特定額定電壓、結(jié)溫和柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這...在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用...
此經(jīng)典電路優(yōu)點(diǎn)比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時(shí)此電路也...此經(jīng)典電路優(yōu)點(diǎn)比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時(shí)此電路也有缺點(diǎn)，輸入交流電范圍窄（一般是220VAC±5%），體積重量大；雖然此電路缺點(diǎn)明顯目...
電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流...電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就...
