圖中，由U1a、U1d組成振蕩器電路，提供頻率約為400Hz的方波/三角形波。U1c產(chǎn)生...圖中，由U1a、U1d組成振蕩器電路，提供頻率約為400Hz的方波/三角形波。U1c產(chǎn)生6V的參考電壓作為振蕩器電路的虛擬地。這是為了振蕩器電路能在單電源情況下也能工作...
場(chǎng)效應(yīng)管功放使用場(chǎng)效應(yīng)管作為放大元件，相較于普通晶體管等其他元件，它具有失...場(chǎng)效應(yīng)管功放使用場(chǎng)效應(yīng)管作為放大元件，相較于普通晶體管等其他元件，它具有失真度低、交叉失真小等特點(diǎn)。高輸入阻抗：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，可以達(dá)到10^8Ω...
半波整流電路是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦詠?lái)進(jìn)行整流的電路，除去半周、剩下半周...半波整流電路是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦詠?lái)進(jìn)行整流的電路，除去半周、剩下半周的整流方法，叫半波整流。半波整流電路可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。它只能使正半周的輸...
MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計(jì)算...MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計(jì)算公式為：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允許的最大溫度，Tc是MOS管的...
V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時(shí)候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接...V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時(shí)候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿...
截止區(qū)：當(dāng)滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進(jìn)入截止區(qū)。 截止區(qū)在輸出特性最下面靠近...截止區(qū)：當(dāng)滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進(jìn)入截止區(qū)。 截止區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)也叫夾斷區(qū)，在該區(qū)時(shí)溝道全...
