振蕩電路是由一個電容器與一個自感線圈串聯(lián)而成的，稱為 LC 電路（LC circuit）...振蕩電路是由一個電容器與一個自感線圈串聯(lián)而成的，稱為 LC 電路（LC circuit）。LC振蕩電路通過利用電感和電容元件之間的電磁相互耦合，實現(xiàn)了電能和磁能的相互轉(zhuǎn)...
充電時，控制IC X1會時刻監(jiān)測第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當(dāng)這個電壓大于等...充電時，控制IC X1會時刻監(jiān)測第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當(dāng)這個電壓大于等于過充截止電壓且滿足過充電壓的延時時間時，X1會通過控制第3腳來關(guān)閉MOS管Q2，Q2被...
蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動裝置和諧振裝置組成，而蜂鳴器又分為無源他激型與有源自...蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動裝置和諧振裝置組成，而蜂鳴器又分為無源他激型與有源自激型。無源他激型蜂鳴器的工作發(fā)聲原理是：方波信號輸入諧振裝置轉(zhuǎn)換為聲音信號輸出...
MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來源于 M...MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之間的偏壓對 MOSFET 閾值電壓 vth 的影響
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門...通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門極驅(qū)動電阻和電容來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電...
高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特...高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS結(jié)構(gòu)，包括源極、漏極和柵極，以及它們之間的電壓控制關(guān)系。
