采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的...采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出...
過零比較器即為在輸入信號穿越0電平時，輸出脈沖。將輸入信號與零電平進行比較...過零比較器即為在輸入信號穿越0電平時，輸出脈沖。將輸入信號與零電平進行比較。當輸入信號的電壓超過零電平時，輸出電路為高電平；當輸入信號電壓小于或等于零電...
7133穩(wěn)壓管參數(shù) 最大輸出電流：50mA 輸入電壓：VI = 30V 輸出電壓：VO = 3....7133穩(wěn)壓管參數(shù) 最大輸出電流：50mA 輸入電壓：VI = 30V 輸出電壓：VO = 3.3V 連續(xù)總耗散功率：PD = 500mW
BJT中的B是指“雙極性（bipolar）”，意思是其內(nèi)部同時存在電子和空穴這兩種極...BJT中的B是指“雙極性（bipolar）”，意思是其內(nèi)部同時存在電子和空穴這兩種極性的導電載流子；而FET卻是“單極性（unipolar）”元件，其導電僅靠一種載流子：N溝...
功率放大電路是以輸出較大功率為目的的放大電路。功率放大電路包含一個輸入級，...功率放大電路是以輸出較大功率為目的的放大電路。功率放大電路包含一個輸入級，其任務是將輸入信號放大到一定程度，然后將其傳遞到一個輸出級，該輸出級將信號進一...
c945電氣參數(shù): 集電極-發(fā)射極電壓VCEO：50V 集電極-基極電壓VCBO：60V 發(fā)射...c945電氣參數(shù): 集電極-發(fā)射極電壓VCEO：50V 集電極-基極電壓VCBO：60V 發(fā)射極-基極電壓VEBO：5V
