H橋驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載：什么是H橋？H橋是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的電路，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立...H橋驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載：什么是H橋？H橋是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的電路，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如MOS-FET）,它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)，至于...
MOS管的工作機(jī)制：由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個(gè)...MOS管的工作機(jī)制：由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)。三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過電子-空穴復(fù)合來控制...
MOS集成電路電過應(yīng)力損傷：電過應(yīng)力(EOS)是MOS集成電路失效分析過程中常見失效...MOS集成電路電過應(yīng)力損傷：電過應(yīng)力(EOS)是MOS集成電路失效分析過程中常見失效原因，電過應(yīng)力損傷對(duì)MOS集成電路可靠性危害很大，輕者導(dǎo)致電路電性能下降，留下隱患...
由晶圓供貨緊張引發(fā)的多米諾骨牌效應(yīng)正在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈愈演愈烈。MOS漲價(jià)、電源...由晶圓供貨緊張引發(fā)的多米諾骨牌效應(yīng)正在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈愈演愈烈。MOS漲價(jià)、電源管理芯片漲價(jià)、MCU漲價(jià)、汽車電子元件芯片漲價(jià)、內(nèi)存芯片漲價(jià)……每一份漲價(jià)通知函，...
CS單管放大電路：共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得...CS單管放大電路：共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而...
適用于LLC變壓器，其特征在于，包括：第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容...適用于LLC變壓器，其特征在于，包括：第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS開關(guān)管與第二M...
