KIA3506A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ ...KIA3506A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低電阻、高UIS和UIS 100%測試，減小損耗，穩(wěn)定可靠；KIA3506A可以代...
KIA30N06B場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓60V，漏極電流2...KIA30N06B場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，RDS（開啟）=25m?@VDS=60V，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應下降以及100%E...
KIA2404A場效應管采用超高密度電池設計，漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A；超低...KIA2404A場效應管采用超高密度電池設計，漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A；超低導通電阻RDS（開啟）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高開關效率降低損耗；100%雪崩試驗...
KPX3204B場效應管采用先進的高單元密度溝槽，漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，...KPX3204B場效應管采用先進的高單元密度溝槽，漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，極低導通電阻VGS=-10V時，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低柵極電荷，高效率低損耗...
KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流...KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，超低柵極電荷RDS（開啟）=15m?@VDS=30V，減小損耗；具有出色的Cdv/dt效應下降...
電機驅動mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流27A，RDS (on) = 280mΩ...電機驅動mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低柵極電荷最小化開關損耗；該器件采用先進平面工藝，高效率低損耗...
