雙柵場(chǎng)效應(yīng)管有一個(gè)源極、一個(gè)漏極和兩個(gè)柵極，在金屬柵極與溝道之間有一層二氧...雙柵場(chǎng)效應(yīng)管有一個(gè)源極、一個(gè)漏極和兩個(gè)柵極，在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，其中兩個(gè)柵極是互相獨(dú)立的，使得它可以用來作...
必看的文章工程師離不開的電路設(shè)計(jì)工具，半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通...必看的文章工程師離不開的電路設(shè)計(jì)工具，半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光...
什么是漏極 源極 柵極及場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理解析，場(chǎng)效應(yīng)管一般的晶體管是由兩種...什么是漏極 源極 柵極及場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理解析，場(chǎng)效應(yīng)管一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，...
三極管是電流控制器件、而場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)器件。三極管特點(diǎn)是能夠?qū)㈦?..三極管是電流控制器件、而場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)器件。三極管特點(diǎn)是能夠?qū)㈦娏鞣糯螅瑘?chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)是噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象等，IGBT特點(diǎn)是高耐壓、導(dǎo)...
MOS管 400V參數(shù)選型表-MOS管原廠優(yōu)勢(shì) 優(yōu)質(zhì)MOS管廠家 免費(fèi)送樣，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的...MOS管 400V參數(shù)選型表-MOS管原廠優(yōu)勢(shì) 優(yōu)質(zhì)MOS管廠家 免費(fèi)送樣，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質(zhì)...
雙極結(jié)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（BJT和FET）及PN結(jié)二極管等知識(shí)詳解，晶體管”是指可以執(zhí)...雙極結(jié)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（BJT和FET）及PN結(jié)二極管等知識(shí)詳解，晶體管”是指可以執(zhí)行開關(guān)和放大的半導(dǎo)體器件。 它可以用作開關(guān)或放大器的電子設(shè)備稱為有源組件。 電開...
