超高耐壓的器件主要應(yīng)用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁,光...超高耐壓的器件主要應(yīng)用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁,光伏逆變器等輔助電源。 國內(nèi)專注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠家KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KN...
MOS管導(dǎo)通時(shí),Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導(dǎo)通時(shí),Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過大時(shí),MOS管導(dǎo)通速度過慢,即Rds的減小要經(jīng)過一段時(shí)間,高壓時(shí)Rds會(huì)消耗大量功率,導(dǎo)...
KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET;12N65參數(shù)650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場效...KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET;12N65參數(shù)650V12A;12N65引腳TO-220F;12N65場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書12N65引腳圖
這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過了特別的調(diào)整,以使其最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并...
MOSFET的失效很多都是由于過熱導(dǎo)致的,那么在選件選型,電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導(dǎo)致的,那么在選件選型,電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計(jì)余量,確保MOSFET的Tj不會(huì)超過其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí),器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)...總功率損耗Ptot的定義是:在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí),器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)所用的功率??梢杂霉絋j=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來表達(dá),節(jié)點(diǎn)溫度才是最終的MOSFET是否...