CMOS邏輯電路,分兩部分,上拉部分,下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成,下拉...CMOS邏輯電路,分兩部分,上拉部分,下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成,下拉部分由NMOS管電路組成,如下。上下拉,形成互補(bǔ)。
由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以...由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以用斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)代替,如圖a所示。MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻RoN約在1kΩ以內(nèi),而且與VGs的數(shù)...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,即VG-VS>VTH;...NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,即VG-VS>VTH;PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極,導(dǎo)通條件為VSG有一定的壓差,即VS-VG>VTH。故一...
當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí),PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地(0V),鋰電池BAT(3.7~4.2V)...當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí),PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地(0V),鋰電池BAT(3.7~4.2V)通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極,源極電壓為(3~3.5)V,此時(shí)Ugs為(-3.5)V到(-...
1、VSSS耐壓 按下圖連接測(cè)試電路,設(shè)置VGS=0V,VSS1從0V以0.1V步增,逐漸增加...1、VSSS耐壓 按下圖連接測(cè)試電路,設(shè)置VGS=0V,VSS1從0V以0.1V步增,逐漸增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀,記錄VSS1的電壓。
在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口,為了防止充...在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口,為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現(xiàn)在充電接口。 (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反...