可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，除陽(yáng)極要承受正向電壓外，門極還要加上適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電壓，...可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，除陽(yáng)極要承受正向電壓外，門極還要加上適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電壓，改變觸發(fā)脈沖輸出時(shí)刻便可達(dá)到改變輸出直流電壓的目的。為門極提供觸發(fā)電壓和電流的...
反相器之所以叫反相器，是因?yàn)檩敵龊洼斎胄盘?hào)的相位相反，而跟隨器的相位相同。...反相器之所以叫反相器，是因?yàn)檩敵龊洼斎胄盘?hào)的相位相反，而跟隨器的相位相同。反相器是可以將輸入信號(hào)的相位反轉(zhuǎn)180度，這種電路應(yīng)用在模擬電路，比如說(shuō)音頻放大...
鋰電池充放電控制芯片對(duì)電池組內(nèi)的每一節(jié)電池電壓進(jìn)行采樣，并與內(nèi)部的精密基準(zhǔn)...鋰電池充放電控制芯片對(duì)電池組內(nèi)的每一節(jié)電池電壓進(jìn)行采樣，并與內(nèi)部的精密基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，當(dāng)任意一節(jié)電池處于過(guò)壓或欠壓狀態(tài)時(shí)，芯片就會(huì)進(jìn)行相應(yīng)的控制，以防...
耗盡層（depletion region），又稱耗盡區(qū)、阻擋層、勢(shì)壘區(qū)（barrier region），...耗盡層（depletion region），又稱耗盡區(qū)、阻擋層、勢(shì)壘區(qū)（barrier region），是指PN結(jié)中在漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散作用的雙重影響下載流子數(shù)量非常少的一個(gè)高電阻區(qū)域。耗...
場(chǎng)效應(yīng)管是一種控制型半導(dǎo)體器件，是一種輸入電阻很高的半導(dǎo)體器件，它是利用輸...場(chǎng)效應(yīng)管是一種控制型半導(dǎo)體器件，是一種輸入電阻很高的半導(dǎo)體器件，它是利用輸入電壓控制輸出電流的，它的輸入端幾乎不需要電流，所以它是一種電壓控制元件。
