KIA5N50HD?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(on)=1.0Ω，...KIA5N50HD?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(on)=1.0Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面...
下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達100MHz的高速電流反饋集...下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達100MHz的高速電流反饋集成運放0PA603組成二階巴特沃思低通濾波器灘圖中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止頻...
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)生低阻抗通路，從而引發(fā)大電流通過，對芯片造成永久性損壞的風險。這種效應通常是由...
kia2906ah場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗以及高雪崩耐量，高效穩(wěn)定...
線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變，也就是電磁感應作用，即電流只能慢...線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變，也就是電磁感應作用，即電流只能慢慢增大和減少)，如果一下使線圈斷電，兩端就會產(chǎn)生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞...
