U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候...U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候，U相對應(yīng)的自舉電路電容是在充電的，此時(shí)UGH的控制腳UH為1，將UGH拉在GND上，保證上...
當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0...當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時(shí)Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí)，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通，所以Q2的柵...當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí)，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通，所以Q2的柵源之間電壓相等，所以Q2也不導(dǎo)通，所示VOUT沒有輸出。
背靠背MOS驅(qū)動(dòng)，S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據(jù)需求選擇MOS，提高系...背靠背MOS驅(qū)動(dòng)，S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據(jù)需求選擇MOS，提高系統(tǒng)的帶載能力。
KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)...KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式...
