隨著MOSFET尺寸的縮小，特別是溝道長度的縮短，短溝道效應(yīng)變得顯著。這種效應(yīng)包...隨著MOSFET尺寸的縮小，特別是溝道長度的縮短，短溝道效應(yīng)變得顯著。這種效應(yīng)包括直接隧穿、熱載流子注入等，它們會(huì)改變溝道中的電荷分布和電場分布，進(jìn)而影響閾值...
鋰電池保護(hù)板專用MOS管KCB3008A漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的S...鋰電池保護(hù)板專用MOS管KCB3008A漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關(guān)損耗，提高效率；優(yōu)秀的...
DC-DC轉(zhuǎn)換器利用電容和電感的儲(chǔ)能特性，通過可控開關(guān)（如MOSFET）進(jìn)行高頻開關(guān)...DC-DC轉(zhuǎn)換器利用電容和電感的儲(chǔ)能特性，通過可控開關(guān)（如MOSFET）進(jìn)行高頻開關(guān)動(dòng)作，將輸入的電能儲(chǔ)存在電容（或電感）中，當(dāng)開關(guān)斷開時(shí)，電能再釋放給負(fù)載，提供...
電阻的符號是R，這是物理學(xué)中用于表示電阻器或電阻值的標(biāo)準(zhǔn)符號。電阻是導(dǎo)體對...電阻的符號是R，這是物理學(xué)中用于表示電阻器或電阻值的標(biāo)準(zhǔn)符號。電阻是導(dǎo)體對電流阻礙作用的物理量，其國際單位是歐姆，符號為Ω。
KNH9130B場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導(dǎo)...KNH9130B場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.12Ω；具有低柵極電荷、快速恢復(fù)體二極管等特性，能夠在短時(shí)間內(nèi)...
