IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線(xiàn)性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線(xiàn)性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動(dòng),而放電時(shí),它會(huì)關(guān)閉器件,然后可能會(huì)在...
在反激電路中,一旦 MOSFET 管關(guān)斷,變壓器就會(huì)將原邊的能量傳輸?shù)礁边?,但漏?..在反激電路中,一旦 MOSFET 管關(guān)斷,變壓器就會(huì)將原邊的能量傳輸?shù)礁边?,但漏感能量卻無(wú)法被轉(zhuǎn)移,這會(huì)導(dǎo)致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因,...
上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化圖。所有寄生電感都集中在一起,顯示為L(zhǎng)ck...上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化圖。所有寄生電感都集中在一起,顯示為L(zhǎng)ckt。如上所述,它們包括走線(xiàn)電感和封裝電感。與Lck成環(huán)的寄生電容主要來(lái)自處于關(guān)斷狀...
下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試的典型波形,CH3為輸出電壓的AC分量,CH4為負(fù)載...下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試的典型波形,CH3為輸出電壓的AC分量,CH4為負(fù)載電流。注意到負(fù)載電流上升斜率與下降斜率并不相同,較緩的上升斜率對(duì)應(yīng)較小的電壓跌...
通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電...通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓,這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設(shè)計(jì)師不得不降低變壓器漏感,選用更高...