Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴(kuò)大采用的用于驅(qū)動(dòng)電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當(dāng)開關(guān)頻率變高時(shí)，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)...半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)計(jì)方法說(shuō)明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時(shí)流過(guò)的電流的能量?jī)?chǔ)存在線路...
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即...對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
