當MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時，對應其開通過程（反之為關斷過程...當MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時，對應其開通過程（反之為關斷過程）。在放大區(qū)內(nèi)，由于米勒效應，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充...
KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（...KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（ON）的高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；低...
當PMOS工作時，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子...當PMOS工作時，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子，電流的實際方向與電子流動方向相反。漏極通常接較低的電位（例如接地或負電源），...
PFC電路是對輸入電流的波形進行控制，使其與輸入電壓波形同步，提高功率因數(shù)，...PFC電路是對輸入電流的波形進行控制，使其與輸入電壓波形同步，提高功率因數(shù)，減少諧波含量，是能夠解決因容性負載導致電流波形嚴重畸變而產(chǎn)生的電磁干擾(EMl)和電...
KND3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術...KND3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；具有出色的RDSON和柵...
