當(dāng)輸入端接正向電壓時，電流流過 PMOS 的體二極管到負載端，當(dāng)正向電壓高于 PM...當(dāng)輸入端接正向電壓時，電流流過 PMOS 的體二極管到負載端，當(dāng)正向電壓高于 PMOS 門限閾值電壓，則會導(dǎo)通溝道，PMOS 的 Vds 壓降降低，從而實現(xiàn)低損耗。
PMOS 用作電源開關(guān)，將負載與電源連接或斷開。在正確連接電源期間，MOSFET 由于...PMOS 用作電源開關(guān)，將負載與電源連接或斷開。在正確連接電源期間，MOSFET 由于正確的 VGS(柵極到源極電壓)而導(dǎo)通。但在反極性情況下，柵極到源極電壓太低而無法導(dǎo)...
到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠高于LDO的輸出電壓下降...到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠高于LDO的輸出電壓下降速度的時候，比如LDO輸出端有容性大負載時，很可能會出現(xiàn)輸出的電壓高于輸入電壓，...
下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源...下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源的負極端。其中漏極D必須接到電源的負極。源極S必須連接到設(shè)備的地，柵極則必須連接...
MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-...MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
