用單片機(jī)的PWM信號(hào)控制mos管的開通和關(guān)斷，然后mos管后端接負(fù)載。 一個(gè)MOS管，...用單片機(jī)的PWM信號(hào)控制mos管的開通和關(guān)斷，然后mos管后端接負(fù)載。 一個(gè)MOS管，PWM的占空比變化（比如從50到100%），MOS管輸出電壓（比如100V）會(huì)變化（在這樣的情...
通過三極管作為中間級(jí)，來提高驅(qū)動(dòng)能力和確保MOS管正常工作。? 單片機(jī)I/O口的...通過三極管作為中間級(jí)，來提高驅(qū)動(dòng)能力和確保MOS管正常工作。? 單片機(jī)I/O口的電壓通常較低，而MOS管需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓才能達(dá)到飽和狀態(tài)，因此直接驅(qū)動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致...
最理想的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和...最理想的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和單開關(guān)的正激開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。采用正確的布板技巧和選擇合適的偏置電壓旁路電容...
VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號(hào)的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較...VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號(hào)的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導(dǎo)通，其柵極驅(qū)動(dòng)電壓一般要求≥10V。
L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（...L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，設(shè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)是12V峰值的方波，Cgs為MO...
