在低頻，可以認(rèn)為輸入端不產(chǎn)生電流，所以放大器，電流增益極高，近于無窮大。而...在低頻，可以認(rèn)為輸入端不產(chǎn)生電流，所以放大器，電流增益極高，近于無窮大。而電壓增益等于跨導(dǎo)gw乘以漏極負(fù)載電阻與漏極動(dòng)態(tài)電阻之積，
根據(jù)疊加原理，M1柵極接地等效為電阻Ro，那么M2的增益即為帶源級負(fù)反饋的共源極...根據(jù)疊加原理，M1柵極接地等效為電阻Ro，那么M2的增益即為帶源級負(fù)反饋的共源極，采用T-model可以方便的計(jì)算出增益：
如圖所示，令左路電流為10u，PM1和PM0寬長比相同，則由電流鏡定律，右側(cè)電流也...如圖所示，令左路電流為10u，PM1和PM0寬長比相同，則由電流鏡定律，右側(cè)電流也為10u，目標(biāo)：設(shè)計(jì)較為精確的電流鏡，要求輸出（PM3漏端）電壓>VDD-0.6
有幾種辦法可以使得電壓抬升，最可靠的辦法就是采用升壓芯片，將電壓升至需要的...有幾種辦法可以使得電壓抬升，最可靠的辦法就是采用升壓芯片，將電壓升至需要的電壓，再驅(qū)動(dòng)NMOS管。這確實(shí)是比較靠譜的辦法，唯一的缺點(diǎn)就是元件比較多，成本比較...
如圖1所示，這是用三極管、二極管、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅(qū)動(dòng)電路。分析...如圖1所示，這是用三極管、二極管、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅(qū)動(dòng)電路。分析情況如下： 當(dāng)VH為高電平，Q4就會(huì)導(dǎo)通是的Q1的基極為低電平，同時(shí)使得Q1導(dǎo)通，VCC...
