如圖1所示將兩個三極管串聯(lián)（如級聯(lián)型三極管或共源共柵拓撲）可能會降低從輸入...如圖1所示將兩個三極管串聯(lián)（如級聯(lián)型三極管或共源共柵拓撲）可能會降低從輸入到輸出的總電容。鑒于上管排電壓固定，上三極管的陰極電壓通過下三極管控制。當開發(fā)...
寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源...寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源電壓（VGS）從18V至0V。關(guān)閉時的漏極電流（ID）為50A，VDS為800V。SiC MOSFET的高開...
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產(chǎn)品介紹 KIA3407采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的RD...-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產(chǎn)品介紹 KIA3407采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS（開）、低柵極。這款產(chǎn)品作負載開關(guān)或在脈寬調(diào)制應(yīng)用中使用。KIA3407是一款標準產(chǎn)...
測試電源和電池需要電流負載，該電流負載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使...測試電源和電池需要電流負載，該電流負載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個運算放大器和一個功率MOSFET就可以構(gòu)建一個簡單而準確的電流負載，如圖1所示...
例如，一個反激式電源可分別從一個48V輸入產(chǎn)生兩個1 A的12V輸出，如圖1的簡化仿...例如，一個反激式電源可分別從一個48V輸入產(chǎn)生兩個1 A的12V輸出，如圖1的簡化仿真模型所示。理想的二極管模型具有零正向壓降，電阻可忽略不計。變壓器繞組電阻可忽...
