MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間...MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間和環(huán)境變化而自動調(diào)節(jié)。 在能量采集、辦公自動化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設計中，...
當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加...當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中，由電源供給負載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率...在交流電路中，由電源供給負載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率。電壓電流同相位，電源向負載供電，負載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不...
在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位置的有力競爭產(chǎn)品，它們的數(shù)據(jù)資料中通常標明特定額定電壓、結(jié)溫和柵極驅(qū)動電壓下的...
