通過三極管作為中間級，來提高驅動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的...通過三極管作為中間級，來提高驅動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的電壓通常較低，而MOS管需要較高的驅動電壓才能達到飽和狀態(tài)，因此直接驅動可能會導致...
最理想的 MOSFET 驅動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和...最理想的 MOSFET 驅動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和單開關的正激開關電源拓撲結構中。采用正確的布板技巧和選擇合適的偏置電壓旁路電容...
VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應管VT2的開啟電壓較...VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導通，其柵極驅動電壓一般要求≥10V。
L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（...L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg為柵極驅動電阻，設驅動信號是12V峰值的方波，Cgs為MO...
利用自舉升壓結構將上拉驅動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則...利用自舉升壓結構將上拉驅動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實現(xiàn)驅動輸出高電平達到VDD。而...
