并聯(lián)多個(gè)MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，...并聯(lián)多個(gè)MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，從而限制最大結(jié)溫。 當(dāng)多個(gè)MOSFET并聯(lián)時(shí)，由于每個(gè)器件的溫度系數(shù)是正的，即溫度升...
過電壓是指電路中電壓突然增加至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異...過電壓是指電路中電壓突然增加至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開關(guān)電路失效、電感和電容器反復(fù)開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的反向電壓等現(xiàn)象都會(huì)導(dǎo)致過電壓的產(chǎn)...
電流流動(dòng)方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動(dòng)方向。灌電流是從負(fù)載...電流流動(dòng)方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動(dòng)方向。灌電流是從負(fù)載流向電源，而拉電流是從電源流向負(fù)載。
①正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）： 當(dāng)門極電壓Vge＜Vge（th），IGBT內(nèi)部MOS溝道被夾斷...①正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）： 當(dāng)門極電壓Vge＜Vge（th），IGBT內(nèi)部MOS溝道被夾斷，IGBT工作在截止區(qū)，由于外部電壓Vce的存在，此時(shí)IGBT集電極-發(fā)射極之間存在很小的...
如圖所示為了使三相異步電動(dòng)機(jī)能夠進(jìn)行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)，一般采用兩個(gè)接觸器KM1、KM...如圖所示為了使三相異步電動(dòng)機(jī)能夠進(jìn)行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)，一般采用兩個(gè)接觸器KM1、KM2換接電動(dòng)機(jī)三相電源的相序，但兩個(gè)接觸器不能吸合，如果同時(shí)吸合將造成電源的短路事...
