R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個比較器單...
IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)...IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)動器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導(dǎo)致其性能上與MOS管有所差異。注意區(qū)...
關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一...
保護作用：當(dāng)流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關(guān)的場合，體二極管...保護作用：當(dāng)流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關(guān)的場合，體二極管由于開通速度過慢，導(dǎo)致無法迅速開通，電流無法通過，進而損壞MOS，因此并聯(lián)的二極...
勢壘高度的計算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢...勢壘高度的計算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢壘寬度，Wm為多數(shù)載流子能量，Ws為少數(shù)載流子能量。
