高邊驅(qū)動(dòng)電路比低邊驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜一些，一個(gè)原因是它通常使用n溝道MOSFET作為功...高邊驅(qū)動(dòng)電路比低邊驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜一些，一個(gè)原因是它通常使用n溝道MOSFET作為功率元件。因?yàn)樵谙嗤男阅軛l件下，NMOSFET比PMOSFET的制造工藝簡(jiǎn)單，更加容易實(shí)現(xiàn)，...
高邊驅(qū)動(dòng)是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線(xiàn)閉合開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝...高邊驅(qū)動(dòng)是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線(xiàn)閉合開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置的使能。高邊驅(qū)動(dòng)形象點(diǎn)說(shuō)，像在電路的電源端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制...
MOSFET的閾值電壓： 對(duì)于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓...MOSFET的閾值電壓： 對(duì)于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過(guò)以下公式計(jì)算： Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅...襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場(chǎng)下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值電壓。
USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點(diǎn)...USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點(diǎn)是成本最低，缺點(diǎn)是，沒(méi)有鋰電池充電控制邏輯，和鋰電池指示燈。
