MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Se...MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型...
MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的...MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的，因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。 對于N溝道增強型MOSFET，開啟...
MOS管根據(jù)導(dǎo)電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構(gòu)相似，都是由n型...MOS管根據(jù)導(dǎo)電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構(gòu)相似，都是由n型和p型半導(dǎo)體夾雜著一層氧化膜構(gòu)成的。不同之處在于，NMOS的氧化膜上覆蓋著一層金屬...
雪崩失效：MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系...雪崩失效：MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是MOSFET漏源極的電壓...
將可調(diào)電阻RP左旋到頭，使ADJ端子電壓為0，用數(shù)字萬用表或指針萬用表的電壓擋測...將可調(diào)電阻RP左旋到頭，使ADJ端子電壓為0，用數(shù)字萬用表或指針萬用表的電壓擋測量，濾波電容C1兩端電壓應(yīng)低于1.25V。然后，慢慢向右旋轉(zhuǎn)RP，使C2兩端電壓逐漸升高...
