電動(dòng)車(chē)控制器參數(shù)型號(hào)資料

KIA75NF75產(chǎn)品描述

75NF75是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)狀態(tài)特性穩(wěn)定、快速的效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)速度，低熱阻，常用于電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用。

KIA75NF75產(chǎn)品特征

RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

超低柵電荷（典型的90納米）

快速交換能力

指定雪崩能量

改進(jìn)的dv/dt能力，堅(jiān)固性高

KIA75NF75參數(shù)范圍

產(chǎn)品型號(hào)：KIA75NF75

工作方式：80A/80V

漏源電壓：80V

柵源電壓：±25V

連續(xù)漏電流：80A/70A

脈沖漏電流：340A

雪崩電流：20A

雪崩能源:410MJ

最大功耗:240W/100W

KIA75NF75封裝圖

KIA75NF75產(chǎn)品附件詳情

查看詳情，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)

開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。  

MOS主要損耗包括開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。電動(dòng)車(chē)控制器場(chǎng)效應(yīng)管只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。

而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒(méi)完全打開(kāi)，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時(shí)（對(duì)應(yīng)電動(dòng)車(chē)的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。

MOS管在電動(dòng)車(chē)控制器中的作用

電動(dòng)車(chē)控制器場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)電機(jī)是靠MOS的輸出電流來(lái)驅(qū)動(dòng)的，輸出電流越大（為了防止過(guò)流燒壞MOS管，控制器有限流保護(hù)），電機(jī)扭矩就強(qiáng)，加速就有力。

MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用

我們電動(dòng)車(chē)控制器場(chǎng)效應(yīng)管和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動(dòng)車(chē)上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指，mos柵極，源級(jí)和漏級(jí)都在芯片表面（或者說(shuō)正面），而溝道也在芯片表面橫向排列。（我們常見(jiàn)的教科書(shū)的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹）。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)（溝道是深槽立體結(jié)構(gòu)）是柵極和源級(jí)引線從芯片正面引出（其實(shí)柵極也不在表面而是內(nèi)部，只是比較靠近表面），而漏級(jí)是從芯片背面引出（其實(shí)整個(gè)芯片背面都是漏級(jí)連接在一起的，整個(gè)個(gè)漏級(jí)用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以我們見(jiàn)到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級(jí)）是完全導(dǎo)通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。

功率mos內(nèi)部從漏級(jí)到源級(jí)是有一個(gè)二極管的，這個(gè)二極管基本上所有的功率mos都具有，和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系（不需要單獨(dú)制造，設(shè)計(jì)本身就有）。當(dāng)然可以通過(guò)改變?cè)O(shè)計(jì)制造工藝，不造出這個(gè)二極管。但是這會(huì)影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內(nèi)阻，需要更大的芯片面積（因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)不同）。大家只是知道這回事就行了。

我們所見(jiàn)的電動(dòng)車(chē)控制器場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)內(nèi)部由成千上萬(wàn)個(gè)小mos管并聯(lián)而成（實(shí)際數(shù)量一般是上千萬(wàn)個(gè)，和芯片面積和工藝有關(guān)）。如果在工作中，有一個(gè)或幾個(gè)小管短路，則整個(gè)mos表現(xiàn)為短路，當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時(shí)表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開(kāi)裂），又表現(xiàn)為開(kāi)路。大家可能會(huì)想這上千萬(wàn)個(gè)小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)壞的吧，其實(shí)真沒(méi)那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。

它們的各種開(kāi)關(guān)動(dòng)作幾乎完全一致，當(dāng)然最終燒壞時(shí)，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時(shí)一點(diǎn)小的工藝缺陷（比如一個(gè)1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置）往往會(huì)造成整個(gè)芯片（缺陷所在的管芯）報(bào)廢。

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