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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 現(xiàn)貨供應 原裝正品-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-07-29　

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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 現(xiàn)貨供應 原裝正品

FDD8870替代MOS管-KIA2803A

KIA2803A可以替代FDD8870，KIA2803A MOS管是KIA半導體品牌，如您有需要或是想了解更多可以查看KIA官網(wǎng)或是致電KIA，我們將竭誠為您服務！


下面我們一起來看看KIA2803A和FDD8870這兩個型號的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。


MOS管 FDD8870替代產品KIA2803A資料詳情
（一）MOS管 KIA2803A特征

1、RDS（on）=2.2mΩ（類型）@VGS=10V


2、低導通電阻


3、100%雪崩試驗


4、無鉛、符合RoHS標準


（二）KIA2803A參數(shù)

產品型號：KIA2803A

工作方式：150A/30V

漏源極電壓:30V

柵源電壓:±20V

連續(xù)漏電流@VGS=10V,TC=25oC:150A

脈沖漏電流測試TC=25oC:600A

單脈沖雪崩能:625MJ

最大功率消耗TC=25oC:160W

最高溫度:175℃

貯存溫度范圍：-55℃至+175℃


（三）KIA2803A封裝圖


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（四）MOS管 KIA2803A規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


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MOS管 FDD8870產品資料詳情
（一）MOS管 FDD8870產品概述

這種N溝道MOSFET是專門為提高DC/DC變換器的整體效率同步或常規(guī)開關PWM控制器。它已經(jīng)針對低柵電荷、低柵電荷進行了優(yōu)化。R-DS（開）和快速切換速度。


（二）MOS管 FDD8870特征

rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A

rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A

高性能溝槽技術，極低RDS（開）

低柵電荷

高功率和電流處理能力


（三）FDD8870參數(shù)


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（四）MOS管 FDD8870封裝引腳功能


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（五）MOS管 FDD8870規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


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聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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