CMOS反相器中的噪聲容限詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-12-21
在電氣工程領(lǐng)域，可以代數(shù)地將無噪聲的 壞情況下的輸入電平代數(shù)加到不引起輸出電壓偏離允許的邏輯電壓電平的外部信號的 電壓幅度稱為噪聲裕度。在通信系統(tǒng)工程領(lǐng)域，我們通常以分貝（dB）為單位測量噪聲容限。
此外，我們將噪聲容限定義為信號超過 可接受量的比率。關(guān)于數(shù)字電路，噪聲容限是信號超過產(chǎn)生“1”或“0”所需的閾值的量。
CMOS代表互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體。其制造過程包括使用互補(bǔ)且對稱的p型和n型MOSFET對來實(shí)現(xiàn)邏輯功能。該技術(shù)正用于IC（集成電路）芯片，微控制器，CMOSBIOS，微處理器，存儲芯片和其他數(shù)字邏輯電路的構(gòu)造中。
我們還可以發(fā)現(xiàn)CMOS技術(shù)在諸如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，RF電路，高度集成的收發(fā)器（通信）和圖像傳感器等模擬電路中的使用。總體而言，CMOS器件的兩個(gè)基本特征是低靜態(tài)功耗和高抗噪性。
由于一對MOSFET始終處于關(guān)斷狀態(tài)，因此串聯(lián)組合僅在開關(guān)狀態(tài)（開和關(guān)）時(shí)瞬間消耗大量功率。
結(jié)果，CMOS器件產(chǎn)生的熱量通常比其他形式的邏輯（例如TTL）產(chǎn)生的熱量少，即使它不改變狀態(tài)，該邏輯通常也具有恒定電流。
CMOS技術(shù)輕松集成到芯片邏輯和VLSI芯片中。此外，它們以較高的速度運(yùn)行，同時(shí)保持極少的功率損耗特性。此外，CMOS反相器提供了出色的邏輯緩沖功能，因?yàn)樗母吆偷驮肼暼菹尥戎匾?/span>
現(xiàn)在，讓我們仔細(xì)看一下CMOS反相器的工作原理及其特性。首先，CMOS反相器包含連接到漏極和柵極端子的PMOS（p型）和NMOS（n型）晶體管。
而且，它在PMOS源極端子上包含電源電壓（VDD），并在NMOS源極端子上包含接地。它具有到柵極端子的VIN連接和到漏極端子的VOUT連接。
請記住，CMOS反相器在其設(shè)計(jì)中沒有使用電阻，因此與標(biāo)準(zhǔn)電阻MOSFET反相器相比，它具有更高的功率效率。
參考上面的CMOS反相器圖，由于CMOS器件輸入端的電壓在5伏和0伏之間變化，因此PMOS和NMOS的狀態(tài)將相應(yīng)地不同。
因此，如果將每個(gè)晶體管建模為一個(gè)由VIN激活的簡單開關(guān)，那么毫無疑問，我們可以看到CMOS反相器的功能。
現(xiàn)在，對于純數(shù)字反相器，由于存在一定程度的電容，它們不會立即從“1”（邏輯高）切換到“0”（邏輯低）。
當(dāng)逆變器從邏輯高電平過渡到邏輯低電平時(shí)，會有一個(gè)不清楚的區(qū)域，在該區(qū)域中我們無法考慮電壓是低還是高。正是在這一時(shí)刻，我們認(rèn)為這是我們的噪聲余量。
我們必須考慮兩個(gè)噪聲容限，它們分別是：高噪聲容限（NMH）和低噪聲容限（NML）。
邏輯高電平的驅(qū)動設(shè)備的電壓輸出（VOHmin）必須大于邏輯高電平的接收設(shè)備的電壓輸入（VIHmin）。
由于導(dǎo)線上存在噪聲，因此驅(qū)動設(shè)備輸出端的邏輯高信號可能會以較低電壓到達(dá)接收設(shè)備的輸入端。
因此，邏輯高電平的噪聲容限NMH=（VOHmin–VIHmin）是您仍然可以正確接收邏輯高電平信號的容差范圍。
對于噪聲容限，我們可以說相同，對于邏輯低電平，NML=（VILmax–VOLmax），這規(guī)定了線路上邏輯低電平信號的容限范圍。噪聲容限越小，表明電路對噪聲越敏感。
噪聲容限是設(shè)計(jì)容限的標(biāo)準(zhǔn)，可以在特定條件下建立適當(dāng)?shù)碾娐饭δ?。噪聲源可以包括電源，運(yùn)行環(huán)境，電場和磁場以及輻射波。晶體管的開關(guān)活動也會產(chǎn)生不希望的噪聲。因此，為了在特定的噪聲條件下提供適當(dāng)?shù)木w管開關(guān)，電路的設(shè)計(jì)必須包括這些特定的噪聲容限。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
