簡化的MOSFET等效電路--Rds和Rg電阻損耗-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-02-10
簡化的MOSFET等效電路
MOSFET開通（turn on）過程
MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗
Diode損耗——肖特基不計反向恢復(fù)損耗
L/C損耗
IC損耗
小結(jié)
綜合上述分析可知，影響效率的因素主要有Rds（on），開關(guān)頻率，有效值電流。
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