充電mos,6a1000v場效應(yīng)管,to220,?KNP45100A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-26
KNP45100A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快，性能卓越；快速恢復(fù)體二極管，開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短，符合RoHS，高堅固性，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于備用電源，充電樁、適配器等；封裝形式：TO-220，適用于高功率、高溫環(huán)境應(yīng)用。
漏源電壓：1000V
漏極電流：6A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：24A
單脈沖雪崩能量：500MJ
總功耗：65W
閾值電壓：3-5V
總柵極電荷：35nC
輸入電容：1600PF
輸出電容：130PF
反向傳輸電容：20PF
開通延遲時間：22nS
關(guān)斷延遲時間：45nS
上升時間：45ns
下降時間：50ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
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