【電子精選】正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度-KIA MOS管

驅(qū)動(dòng)芯片概述

功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通，M2關(guān)掉的時(shí)候，電源VCC通過M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開通，其充電簡化電路見圖2。

當(dāng)M1關(guān)斷，M2開通的時(shí)候，Cgs通過Rg和M2放電，從而使MOSFET關(guān)斷，其放電簡化電路見圖3。

MOSFET 驅(qū)動(dòng)

衡量驅(qū)動(dòng)能力的主要指標(biāo)：驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度

衡量一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)能力的指標(biāo)主要有兩項(xiàng)：驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間。這兩項(xiàng)參數(shù)在一般驅(qū)動(dòng)芯片規(guī)格書中都有標(biāo)注。而在實(shí)際應(yīng)用中，工程師往往只關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流而忽視上升、下降時(shí)間這一參數(shù)。

事實(shí)上，驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間這個(gè)指標(biāo)也同樣重要，有時(shí)甚至比驅(qū)動(dòng)電流這個(gè)指標(biāo)還重要。因?yàn)轵?qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間直接影響了功率器件的開通、關(guān)斷速度。

MOSFET 驅(qū)動(dòng)

圖4顯示了一個(gè)MOSFET開通時(shí)門極驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流的簡化時(shí)序圖。t1到t2這段時(shí)間是門極驅(qū)動(dòng)的源電流（IO+）從零開始到峰值電流的建立時(shí)間。在t3時(shí)刻，門極電壓達(dá)到米勒平臺(tái)，源電流開始給MOSFET的米勒電容充電。

在t4時(shí)刻，米勒電容充電完成，源電流繼續(xù)給MOSFET的輸入電容充電，門極電壓上升直到達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的電源電壓VCC。同時(shí)在t4到t5這個(gè)期間，源電流也從峰值電流降到零。

這里有一個(gè)很重要的階段：t1到t2的源電流的建立時(shí)間。不同的驅(qū)動(dòng)芯片有不同的電流建立時(shí)間，這一建立時(shí)間會(huì)影響驅(qū)動(dòng)的速度。

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