【PMOS電路】PMOS低電平驅(qū)動分享-KIA MOS管

PMOS原理

如上圖，PMOS管是壓控型器件，|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時，內(nèi)部溝道在場強的作用下導通，|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時，內(nèi)部溝道截止;

|Vgs|電壓越高，內(nèi)部場強越大，導通程度越高，導通電阻Ron越小,注意，|Vgs|電壓不能超過芯片允許的極限電壓;

說明：PMOS管一般作為高端驅(qū)動器件，源級S接電源正極。

寄生參數(shù)

1、寄生二極管

使用時，要特別注意內(nèi)部寄生二極管，如果接反，將導致無法關(guān)閉PMOS管；另外，某些場合可以巧用寄生二極管，比如做防反接使用時，詳情請閱讀后面的內(nèi)容。

2、寄生電容

使用時，要特別注意GS管腳的寄生電容Cgs，控制PMOS管的導通與截止，本質(zhì)上是控制Cgs電容的充放電；

如果要求PMOS快速導通與截止，此時需要驅(qū)動源能夠提供足夠大的驅(qū)動電流，以提供Cgs電容的瞬間充放電；

如果僅僅作為開關(guān)使用，可以串電阻，以減小Cgs的充放電電流，此時，對驅(qū)動源的要求就不高，單片機的IO口(推挽輸出時，可以提供20mA的驅(qū)動電流)可以直接驅(qū)動。

選型依據(jù)

①、Ids電流，導通電阻Ron越小，允許的Ids越大；

②、開關(guān)速率，詳看手冊的打開、保持、關(guān)閉時間；

③、Vgs開啟電壓，驅(qū)動電壓，極限電壓；

④、Vds極限電壓；

⑤、封裝尺寸；

PMOS低電平驅(qū)動

防反接

設(shè)計說明：

1、巧妙利用內(nèi)部寄生二極管。上電時，通過內(nèi)部寄生二極管，|Vgs|電壓大于|Vth|電壓，PMOS管完全導通；

2、R29，R31:電阻分壓，調(diào)整|Vgs|電壓，|Vgs|電壓盡量大，這樣，Ron越小，壓降越小，損耗越低；

3、D5、穩(wěn)壓二極管，防止|Vgs|電壓超過極限電壓。

高端開關(guān)

設(shè)計說明：

1、如果VIN電壓小于單片機IO口電壓，可以去掉U6，直接控制U5；

2、R10，R12:電阻分壓,調(diào)整Vgs電壓，|Vgs|電壓盡量大，這樣，Ron越小，壓降越小，損耗越低；

3、R12同時起到限流作用，U6導通時，Cgs寄生電容通過R12充電，避免過大的充電電流流過U6，出現(xiàn)大批量生產(chǎn)時，MOS管被擊穿的現(xiàn)象。

4、R16同樣起到限流作用，單片機輸出低電平時，Cgs寄生電容通過R16放電，避免過大的放電電流流過單片機的IO口，出現(xiàn)大批量生產(chǎn)時，單片機IO口被擊穿的現(xiàn)象。

5、F2是PTC可恢復保險絲，啟動限流、短路保護的作用。

小結(jié)

PMOS管是驅(qū)動電路常用的器件，使用時根據(jù)需求合理選擇型號，應(yīng)用時注意內(nèi)部寄生參數(shù)，極限參數(shù)，提高產(chǎn)品的可靠性。

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