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詳細(xì)分析低邊MOS管驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-11-10 

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詳細(xì)分析低邊MOS管驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管


MOS需要工作在開關(guān)狀態(tài),希望盡可能快地關(guān)閉,盡可能快地打開。因?yàn)樵诖蜷_或關(guān)閉的過程中,MOS管上會(huì)有功耗。雖然MOS是電壓驅(qū)動(dòng),但柵源之間有較大的結(jié)電容。


在打開時(shí),需要大的充電電流,截止時(shí)需要大的放電電流。因此需要有低阻抗的充電和放電通路。


方框中的電路構(gòu)成一個(gè)低邊MOS管驅(qū)動(dòng)器,輸入端由Q3及外圍使用共基極接構(gòu)成電平轉(zhuǎn)換電路,從⑤處接受控制輸入,控制輸入可以由MCU產(chǎn)生。將輸入的3V數(shù)字量轉(zhuǎn)換成輸出12V數(shù)字量。


由Q1 Q2屬于互補(bǔ)的射極輸出器,不存在Q1 Q2同時(shí)導(dǎo)通短路電源的問題。為防止意外,在輸出端串電阻是保險(xiǎn)的做法。


低邊 MOS管 驅(qū)動(dòng)


MOS從截止到導(dǎo)通需要的時(shí)間比從導(dǎo)通到截止時(shí)間要長(zhǎng)一些。減小R1可以縮短截止到導(dǎo)通的時(shí)間。但并不是無限制的,因?yàn)轵?qū)動(dòng)源的拉電流能力有限。


低邊 MOS管 驅(qū)動(dòng)


低邊 MOS管 驅(qū)動(dòng)


當(dāng)控制電壓由低變高時(shí),柵極電壓開始時(shí)有一個(gè)3V的臺(tái)階,分析認(rèn)為是Q3截止后,3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。



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