【電路收藏】PMOS開(kāi)關(guān)電路-負(fù)載開(kāi)關(guān)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2022-11-11
利用PMOS設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電路,實(shí)現(xiàn)一款設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制。被控設(shè)備12V供電,供電電流小于3A即可。且為了提高響應(yīng)速度,使流過(guò)該設(shè)備的電流盡可能的大。該設(shè)備內(nèi)阻大約為6ohm。
產(chǎn)品參數(shù)
VDS-30V
ID-4.2A(VGS=-10V)
RDS(ON)<60mohm(VGS=-10V)
<65mohm(VGS=-4.5V)
<120mohm(VGS=-2.5V)
VGS±12V
等效電路
設(shè)計(jì)并調(diào)試好的電路如下圖所示,由于供電電壓和驅(qū)動(dòng)電壓均可以使用12V,所以采用了如下較為簡(jiǎn)單的方案。
如圖所示,Q9 AO3401的柵極(G)通過(guò)100k電阻上拉到12V,源級(jí)(S)直接連接至12V電源側(cè),漏極(D)連接到被控設(shè)備,被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管,用于關(guān)斷設(shè)備后,釋放被控設(shè)備上的能量。
在默認(rèn)情況下,Q9 A03401的柵極被拉到12V,此時(shí)Vgs=0,PMOS處于截止?fàn)顟B(tài),被控設(shè)備關(guān)斷。
為了實(shí)現(xiàn)對(duì)PMOS的控制,后邊增加了一級(jí)PNP構(gòu)成的電路,當(dāng)Control_Signal為高電平時(shí),此時(shí)Q10 NPN三極管處于導(dǎo)通狀態(tài),使得Q9的柵極拉到GND,此時(shí)Q9 AO3401 VGS之間的電壓為-12V,Q9處于導(dǎo)通狀態(tài)。
反之當(dāng)Control_Signal為低電平時(shí),Q10 NPN三極管處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)Q9的柵極重新被R45拉高到12V電源上,Q9恢復(fù)截止?fàn)顟B(tài)。
控制邏輯如下:
通過(guò)以上分析,使用該電路,便利用PMOS實(shí)現(xiàn)了一個(gè)最基本的負(fù)載開(kāi)關(guān)功能。
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