場效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解及分析-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-11-25
跨導(dǎo)gm(Transconductance)是電子元件的一項屬性。電導(dǎo)(G)是電阻(R)的倒數(shù);而跨導(dǎo)則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。
在SI單位中,西門子公司,用符號,S;1西門子=1安培每伏更換舊的電導(dǎo)率,具有相同的定義,mho(歐姆拼寫向后),符號?。
跨導(dǎo)gm,為Q點處轉(zhuǎn)移特性曲線的切線斜率。
對場效應(yīng)管而言,有下列公式成立
說明,某個Q點的跨導(dǎo)gm與K, (靜態(tài)工作點)有關(guān)。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。