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開關(guān)電源:PMOS、NMOS?分立負(fù)載開關(guān)電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-04 

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開關(guān)電源:PMOS、NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路-KIA MOS管


負(fù)載開關(guān)是用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。在很多電路中,一個電源可能對應(yīng)多個負(fù)載,有時候要切換負(fù)載的供電,有時候要對負(fù)載進(jìn)行限流,通常的方法可以用PMIC去操作不同的負(fù)載,也可以使用負(fù)載開關(guān)去操作。負(fù)載開關(guān)有正壓的也有負(fù)壓的,負(fù)壓的比較少。分立器件搭一般都是用Pmos去搭建。


典型的電路如下:

PMOS NMOS 分立 負(fù)載開關(guān)

結(jié)構(gòu)1

PMOS NMOS 分立 負(fù)載開關(guān)

結(jié)構(gòu)2

使用PMOS構(gòu)建有個好處可以不用自舉,若是使用NMOS構(gòu)建則需要自舉電路對MOS的GS提供一些偏置,PMOS的缺點是比較難買。


NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路

下圖是一個簡單的NMOS負(fù)載開關(guān)電路,該電路對輸入電壓VIN的最大值有限制,VIN需要小于Vgate-VGS 。

PMOS NMOS 分立 負(fù)載開關(guān)

為了解決VIN限制問題,可以在上述電路基礎(chǔ)上,增加一個電荷泵電路,使用電荷泵,可以實現(xiàn)NMOS的高VGS,并且使驅(qū)動電路的導(dǎo)通電阻降低。當(dāng)然與PMOS一樣,也會存在浪涌電流問題。如果需要減少浪涌電流,也還需要增加其他一些分立器件。

PMOS NMOS 分立 負(fù)載開關(guān)

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