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集成電源開關(guān):集成負載開關(guān)選型及設(shè)計要點-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-04 

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集成電源開關(guān):集成負載開關(guān)選型及設(shè)計要點-KIA MOS管


NMOS與PMOS

在NMOS器件中,通過使柵極電壓高于源極電壓來使導(dǎo)通FET接通。通常,源極電壓與VIN端子處于相同電勢。要使柵極和源極間產(chǎn)生上述電壓差,需要一個電荷泵。使用電荷泵將增大器件的靜態(tài)電流。


在PMOS器件中,通過使柵極電壓低于源極電壓來使導(dǎo)通FET接通。PMOS器件的架構(gòu)無需電荷泵,因此其靜態(tài)電流比NMOS器件的靜態(tài)電流低?;赑MOS的架構(gòu)與基于NMOS的架構(gòu)的一個主要差別是,基于PMOS的負載開關(guān)在低電壓下性能欠佳,因為低壓下VGS低,導(dǎo)通電阻RDSON大。而NMOS器件在低輸入電壓應(yīng)用中性能良好。


導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RON)

導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RON)是一個極為重要的參數(shù),因為它決定了負載開關(guān)的壓降和功耗。RON越大,負載開關(guān)的壓降越大,功耗越高。

集成負載開關(guān)

其中,

?Vmax=VIN到VOUT的最大壓降

ILOAD=負載電流

RON,max=給定VIN對應(yīng)的器件最大導(dǎo)通電阻

IQ=負載開關(guān)的靜態(tài)電流

電壓(VIN)和電流(IMAX)額定值


決定使用哪種負載開關(guān)時的重要考慮因素之一是應(yīng)用所需的電壓和電流。負載開關(guān)必須能夠支持穩(wěn)態(tài)工作期間所需的直流電壓和電流,以及瞬變電壓和峰值電流。需要注意的是,一些負載開關(guān)需要偏置電壓來開啟器件和偏置內(nèi)部電路。此偏置電壓與輸入電壓無關(guān)。


關(guān)斷電流(ISD)和靜態(tài)電流(IQ)

靜態(tài)電流是負載開關(guān)接通時消耗的電流。除I2R損耗外,靜態(tài)電流還將決定負載開關(guān)接通時的功耗量。如果負載電流足夠大,則靜態(tài)電流引起的功耗可忽略不計。


關(guān)斷電流決定了負載開關(guān)通過ON引腳被禁用時的功耗量。使用負載開關(guān)切斷子系統(tǒng)電源可顯著降低電源軌的待機功耗。


上升時間(tR)

上升時間因器件而異。上升時間可能需要較短,也可能較長,具體取決于應(yīng)用。此外,浪涌電流與上升時間成反比。了解系統(tǒng)所能接受的浪涌電流是十分有益的。

集成負載開關(guān)

其中

INRUSH=CL產(chǎn)生的浪涌電流的大小CL=VOUT上的總電容dVOUT=啟用器件時VOUT的電壓變化dt=VOUT電壓變化dVOUT所用的時間


快速輸出放電(QOD)

一些負載開關(guān)具有內(nèi)部電阻,該電阻會在開關(guān)關(guān)斷時將輸出拉至地,以避免輸出浮空。要使快速輸出放電功能起作用,輸入電壓引腳上的電壓需處于工作范圍內(nèi)。


快速輸出放電功能有諸多好處,例如:

輸出不會浮空并且始終處于已確定狀態(tài)。

下游模塊始終完全關(guān)閉。


不過,仍有應(yīng)用無法從快速輸出放電功能中受益。

如果負載開關(guān)的輸出與電池相連,則通過ON引腳禁用負載開關(guān)時,快速輸出放電會導(dǎo)致電池電量耗盡。


如果兩個負載開關(guān)用作雙輸入單輸出多路復(fù)用器(其中,二者輸出連在一起),則負載開關(guān)無法提供快速輸出放電功能。否則,快速輸出放電期間將持續(xù)浪費電能,因為只要通過ON引腳禁用負載開關(guān),電流就會通過內(nèi)部電阻流向地。


封裝尺寸

集成負載開關(guān)提供各種不同的形狀和尺寸。確保應(yīng)用能夠接受負載開關(guān)是十分重要的。在空間受限的系統(tǒng)中,可能需要選擇較小的封裝尺寸。例如,可能不需要使用0.4mm間距的器件,所以選擇部件時不應(yīng)考慮0.4mm間距的器件。因此,選擇器件時應(yīng)考慮封裝尺寸。


輸入和輸出電容

在負載開關(guān)應(yīng)用中,應(yīng)放置輸入電容,以限制由流入已放電的負載電容的瞬變浪涌電流所導(dǎo)致的輸入電源壓降。強烈建議在VIN和GND之間靠近VIN端子的位置放置1μF電容(CIN)。較大的電容將降低大電流應(yīng)用期間的壓降。盡管強烈推薦,但這并非負載開關(guān)工作所必需。


移除電源時,VOUT和GND之間的總輸出電容(CL)可能會使VOUT上的電壓超過VIN上的電壓,對于不具備反向電路保護功能的器件,這可能導(dǎo)致電流從VOUT經(jīng)導(dǎo)通FET中的體二極管流向VIN。為防止出現(xiàn)這種情況,建議(但不要求)輸入電容和負載電容保持10:1的比值。


散熱注意事項

最大IC結(jié)溫應(yīng)限制為絕對最大值表中指示的正常工作條件下的最大結(jié)溫。要計算在給定的輸出電流和環(huán)境溫度下的最大允許功耗PD(max),請使用公式:

集成負載開關(guān)

其中:PD(max)=最大允許功耗TJ(max)=最大允許結(jié)溫TA=器件的環(huán)境溫度θJA=結(jié)點到空氣熱阻此參數(shù)很大程度上取決于電路板布局。


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